国网购a.平面内和垂直平面热导率。
石墨烯具有独特的零带隙结构、天津超快的载流子迁移率等优点，是制造高性能光电传感器的理想材料。所有实验在零栅压、电力零源漏电压（Vg =Vds =0V）和室温条件下进行。
年第相关成果以题为Three-DimensionalGrapheneField-EffectTransistorsasHighPerformancePhotodetectors的文章在线发表在Nano Letters上。批框判成(f) 2DGFET和3DGFET在中红外和THz区域的响应度对比。架采交候图53DGFET的高速光电响应。
(a)3DGFET在飞秒脉冲激光下时域响应，次谈光电流经低噪声电流放大器（带宽1MHz）后由带宽为1GHz的示波器记录。选人(a)自卷曲前的平面二维（2D）GFET。
(e)自卷曲圈数分别为1圈（左上）、国网购2圈（右上）、3圈（左下）和5圈（右下）的3DGFET侧视图。
天津图43DGFET在中红外和太赫兹（THz）区域的光电特性。电力杭州亚运会开闭幕式官方纪录片《绽放》将于11月28日—12月2日在浙江卫视首播。
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